Модуль памяти Silicon Power DDR3-1333 (PC3-10667) 4GB ECC, Registered, SP004GBRTE133U01
объем памяти: 4 ГБ; тип: DDR3 DIMM 240-pin; тактовая частота: 1333 МГц; тайминги: 9; напряжение питания: 1.5 В; пропускная способность: PC10600; буферизованная (Registered): да; поддержка ECC: да
Общие характеристики
Объем
1 модуль 4 ГБ
Буферизованная (Registered)
да
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Поддержка ECC
есть
Пропускная способность
10600 МБ/с
Тактовая частота
1333 МГц
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM 240-контактный
Внимание! Характеристики и комплектация
товаров могут быть изменены фирмой-производителем без предварительного уведомления.
Перед покупкой уточняйте важные для Вас технические характеристики и комплектацию у
продавца. Если вы заметили ошибку, то пожалуйста, сообщите нам об этом.
Похожие товары
- Тактовая частота: 3200 МГц
- Тип памяти: DDR4
- Форм-фактор: SODIMM
- Напряжение питания: 1.2 В
4 418
руб
+3
- Тактовая частота: 3200 МГц
- Тип памяти: DDR4
- Форм-фактор: DIMM 288-контактный
- Напряжение питания: 1.2 В
6 490
руб
+3
- Тактовая частота: 2400 МГц
- Тип памяти: DDR4
- Форм-фактор: SODIMM 260-контактный
- Напряжение питания: 1.2 В
2 832
руб
+3
- Тактовая частота: 4800 Mhz
- Тип памяти: DDR5
- Форм-фактор: DIMM
- Напряжение питания: 1.1 В
3 839
руб
+3
- Тактовая частота: 1600 МГц
- Тип памяти: DDR3
- Форм-фактор: DIMM
- Напряжение питания: 1.5 В
663
руб
+3