Модуль памяти Samsung DDR4-3200 (PC4-25600) 8GB Voltage 1.2v. CL-21-21-21-21 (M378A1K43EB2-CWE)
- Завтра
- Завтра с 14:00
Оперативная память Samsung обеспечивает надежность и производительность высокого уровня, что делает ее универсальным решением для различных систем. Модуль памяти стандарта DDR4 объемом 8 ГБ при сборке или модернизации платформы помогает улучшить работу системы во время запуска требовательных программ или обработки ресурсоемких данных. Модуль функционирует на частоте 3200 МГц и отличается высокой пропускной способностью при напряжении питания 1.2 В. Небольшая высота 31.25 мм и тщательно протестированные компоненты гарантируют широкую совместимость ОЗУ Samsung.
- Тактовая частота: 3200 МГц
- Тип памяти: Оперативная память DIMM
- Форм-фактор: DIMM
- Напряжение питания: 1.2 В
- Тактовая частота: 2400 МГц
- Тип памяти: DDR4
- Форм-фактор: SODIMM 260-контактный
- Напряжение питания: 1.2 В
- Тактовая частота: 3200 Mhz
- Тип памяти: DDR4
- Форм-фактор: U-DIMM
- Напряжение питания: 1.35 В
- Тактовая частота: 2133 МГц
- Тип памяти: DDR4
- Форм-фактор: DIMM 288-контактный
- Напряжение питания: 1.2 В
- Тактовая частота: 2666 МГц
- Тип памяти: DDR4
- Форм-фактор: DIMM